中微公司尹志尧：公司等离子体刻蚀设备已应用于128层及以上的量产

3月19日，中微公司董事长、总经理尹志尧3月19日在2023年度业绩说明会上表示，在逻辑集成电路制造环节，公司开发的12英寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户最先进的生产线上并用于5纳米、5纳米以下器件中若干关键步骤的加工；同时，公司根据先进集成电路厂商的需求持续进行设备开发和工艺优化。在3D NAND芯片制造环节，公司的等离子体刻蚀设备已应用于128层及以上的量产，同时公司根据存储器件客户的需求正在开发极高深宽比的刻蚀设备和工艺；公司也根据逻辑器件客户的需求，正在开发更先进刻蚀应用的设备。