5月14日消息,SK海力士将在2026年批量生产第7代高带宽存储器(HBM4E),较此前计划提前1年。
SK海力士HBM先进技术团队负责人金贵旭表示:“当前HBM技术已达新水平,同时代际更迭周期也在加快,第4代(HBM3)以2年为周期开发,而第5代(HBM3E)开始,由以往的2年变成了1年。”(韩国亚洲日报)
来源:界面新闻
5月14日消息,SK海力士将在2026年批量生产第7代高带宽存储器(HBM4E),较此前计划提前1年。
SK海力士HBM先进技术团队负责人金贵旭表示:“当前HBM技术已达新水平,同时代际更迭周期也在加快,第4代(HBM3)以2年为周期开发,而第5代(HBM3E)开始,由以往的2年变成了1年。”(韩国亚洲日报)
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