2024年IEEE国际电子器件会议上,英特尔旗下芯片代工业务部门对外展示了多项技术突破,在新材料方面,公司展示了减成法钌互连技术(subtractive Ruthenium),最高可将线间电容降低25% ,有助于改善芯片内互连。封装工艺上,英特尔代工还公布了一种用于先进封装的异构集成解决方案,能将吞吐量提升高达100倍,实现超快速的芯片间封装(chip-to-chip assembly)。
此外,为进一步推动全环绕栅极(GAA)微缩,英特尔还推出了硅基RibbionFET CMOS (互补金属氧化物半导体)技术、用于微缩的2D场效应晶体管(2D FETs)的栅氧化层(gate oxide)模块等。
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