国家知识产权局就《集成电路布图设计保护条例修改草案(征求意见稿)》公开征求意见

12月26日消息,国家知识产权局就《集成电路布图设计保护条例修改草案(征求意见稿)》征求社会各界意见。征求意见稿提出,加强布图设计专有权保护,维护权利人合法权益。一是新增独创性声明相关制度以及专有权保护范围的确定规则。将独创性声明作为必须提交的申请文件,明确专有权的保护范围以复制件或图样为准,独创性声明用于解释复制件或者图样的独创性部分,以解决布图设计专有权保护范围难以确定的问题。二是明确诚实信用和禁止权利滥用原则。规定申请布图设计登记和行使专有权均应当遵循诚实信用原则,不得滥用专有权损害公共利益或者他人合法权益,引导申请人和权利人合法行使权利。三是增加共有专有权人行使权利的方式。四是加大侵权赔偿力度。完善确定赔偿数额的顺序和方式,新增惩罚性赔偿制度,完善举证责任。五是增加证据保全相关规定。为制止侵权行为,在证据可能灭失或者以后难以取得的情况下,布图设计权利人或者利害关系人可以在起诉前依法向人民法院申请保全证据。

 

附件:1. 集成电路布图设计保护条例修改草案(征求意见稿)

2. 《集成电路布图设计保护条例修改草案(征求意见稿)》起草说明

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