文｜半导体产业纵横

在SK海力士即将公布第四季度业绩之前，另一家韩国内存巨头三星可能再次陷入困境。据报道，该公司将其10nm级第六代（1c）DRAM的开发再推迟了六个月，将目标日期推迟到2025年6月。

SK 海力士将于 2 月份开始量产 1c DRAM

另一方面，此前的报道中透露，SK海力士最快将于2月份成为全球首家采用1c工艺量产DRAM的公司。据报道，SK海力士近期已完成1c DDR5的量产认证。

三星 HBM4 生产面临潜在延迟

据报道，三星电子已将其 10nm 第六代 1c DRAM 的开发推迟至 2025 年 6 月。该时间表最初定于 2024 年底完成，但由于持续的产量挑战，时间表被推迟了六个月，可能会影响量产计划。

三星代表拒绝对开发时间表或路线图发表评论。不过，业内消息人士表示，如果 1c DRAM 开发不及预期，计划于 2025 年下半年量产的第六代 HBM (HBM4) 可能会面临延迟。

据报道，三星在 1c DRAM 开发方面举步维艰。尽管 2024 年底的报道表明该公司已成功生产出第一颗“良品芯片”，但预期的良率水平尚未达到。为了实现量产，在开发过程中成品率通常需要达到 60% 至 70%。

业界标准的产品开发周期约为18个月。三星于2022年12月完成了10nm第五代1b DRAM，并于2023年5月开始量产。不过，其1c DRAM的进展尚未有最新消息。

三星 1c DRAM 的延迟可能会削弱其在竞争激烈的 HBM 市场中的地位，有可能将市场拱手让给 SK 海力士和美光等竞争对手。（美光的目标是在 2025 年 4 月完成。）

另一方面，三星 1c DRAM 的延迟不仅可能让其在 HBM 市场失去优势，而且从更宏观的层面来看，三星在整个半导体业务板块都面临着压力。近期就有报道指出，三星在2025 年将晶圆代工投资削减 50% 以上，该公司将 2025 年的设施投资预算设定为 5 万亿韩元左右，较 2024 年的 10 万亿韩元投资范围大幅下降。

这一决定是在 2021 年至 2023 年一段时期的积极投资之后做出的，在此期间，三星代工厂花费了约 20 万亿韩元来扩大产能并推进技术。然而，在去年 10 月发布的 2024 年第三季度财报中，三星电子已经预测对设施投资采取保守态度，表示“预计 2024 年设施投资执行规模将减少”，“2025 年我们将最大限度地增加设施投资，现有生产基础设施的运营。”

今年的代工投资将集中在华城S3工厂和平泽2工厂(P2)。在S3工厂，部分3nm 生产线将转换为2nm。此次改造涉及在现有生产线上增加一些设备，不属于大规模的新增投资。同时，P2工厂计划于今年内安装一条1.4纳米测试线，每月产能为2,000至3,000片晶圆。此外，还将进行小规模投资，补充美国泰勒工厂的各种设备和基础设施

设备投资减少的主要原因是客户订单疲软。三星代工厂最近面临良率低和先进工艺延迟的问题，这阻碍了其吸引“大型科技”客户的能力。平泽4-7纳米代工设施的开工率已减少30%以上，进一步加剧了这种情况。

三星代工更紧迫的担忧是与领先代工公司台积电的差距不断扩大。仅去年一年，台积电就在代工设施上投资了 9560 亿新台币（约合 42 万亿韩元），是三星代工厂同期投资额的四倍。台积电的这一重大投资凸显了三星在全球半导体市场面临的竞争压力。

一位行业人士解释说：“三星代工厂似乎优先考虑的是增强其2纳米技术竞争力，而不是大幅减少投资。”这一战略重点是推进 2nm 技术，这被视为提高三星在市场中的地位并解决其当前面临的技术挑战的关键举措。

英伟达首席执行官表示担忧

三星 1c DRAM 开发的推迟可能会扰乱其重新在 HBM 市场站稳脚跟的更广泛计划，引发对其长期竞争力的担忧。

据报道，三星曾计划将 1c DRAM 纳入其 HBM4 产品中。然而，如果 1c DRAM 量产推迟到 2025 年底，HBM4 的推出可能会面临相应的延迟，从而可能影响市场准备度。

三星目前专注于在 2025 年上半年加速 DRAM 开发，以提高良率。与此同时，SK 海力士采取了更为保守的方法，选择将 1b DRAM 集成到其 HBM4 产品中，以确保稳定的生产时间表。

据业内人士透露，三星正在对其 1c DRAM 进行设计修改，以加快开发速度。这与英伟达首席执行官黄仁勋在 CES 2025 上的讲话一致，他指出“新设计”的需求是不使用三星 HBM 产品的一个主要原因。