三星电子计划到2028年对新的研发园区投入约20万亿韩元

据彭博、韩联社8月19日报道，三星电子副会长李在镕19日出席了在京畿道器兴园区举行的下一代半导体研发（R&D）园区动工仪式。该研发园区总面积约10.9万平方米，将主管NAND闪存、晶圆代工、系统芯片等新技术研发。三星电子计划到2028年对该园区投资约20万亿韩元（约合人民币1030亿元）。