东京大学将携手爱德万设计7纳米以下尖端半导体，委托台积电代工

日经中文网5月24日消息，日本东京大学近期与爱德万测试启动设计尖端半导体的联合研究，计划设计电路宽度在7纳米以下的半导体，委托台积电代工。

凸版印刷、日立制作所、MIRISE Technologies、理化学研究所也将参与联合研究。将利用东京大学在研究方面积累的设计经验。参与方将采用软件领域一般在短时间内反复试制和改进的“敏捷开发（Agile Development）”方式，设计专用半导体芯片，通过自动化和部分工序的共通化，缩短芯片设计所需的时间。

目前在半导体制造领域，日本企业仅能应对数十纳米左右的产品。Rapidus正致力于开发2纳米的新一代产品，但目前能制造尖端产品的企业仅限于台积电、三星电子、英特尔等数家海外企业。